科客點評：明年三星將全面引入Type-C及USB PD標準，這意味著S7將擁有更快的充電速度。

　　此前傳出三星GALAXY S7已經(jīng)開始測試的消息，并且有望再次重啟雙處理器平臺策略，至于其他可能裝載的新技術則沒有更多的消息。而現(xiàn)在，根據(jù)網(wǎng)友@i冰宇宙在微博上披露的消息稱，UFS2.1將在今年下半年量產(chǎn)，預計三星GALAXY S7將會首先搭載這項新技術，并且明年的三星智能手機將全面引入Type-C以及USB PD標準，這意味著未來的GALAXY S7將擁有更快的充電速度。

支持UFS2.1標準

　　按照網(wǎng)友@i冰宇宙在微博上的說法，2016年UFS2.0和emmc 5.1將在旗艦機型中得到普及，但三星GALAXY S7在閃存技術方面應該依然會快人一步。由于UFS2.1標準的閃存將在今年下半年量產(chǎn)，因此預計將會首先使用到三星GALAXY S7上。

　　不過，目前還沒有UFS2.1標準閃存技術的更多信息被曝光，但相信應該比現(xiàn)在應用到三星GALAXY S6等機型的UFS2.0標準的閃存技術擁有更快的速度和更低的功耗，而這也意味著未來的GALAXY S7將會帶來更出色的性能表現(xiàn)和更快的手機讀取速度。

充電速度更快

　　同時針對當前三星GALAXY 系列旗艦機型尚未引入Type-C的狀況，在未來的三星GALAXY S7則會得到改進，并且還將支持全新USB PD標準，這不僅意味著該機的USB連接線將具備正反兩面皆可隨意插入的特色，而且將帶來更快的充電速度，甚至還能夠兼容其他數(shù)碼設備。

　　除此之外，@i冰宇宙還在微博中提到，年底的時候三星5.2英寸4K顯示屏將會量產(chǎn)，因此在索尼已經(jīng)率先發(fā)布4K顯示屏智能手機的情況下，三星GALAXY S7很有可能會裝載這塊5.2英寸4K分辨率Super AMOLED觸控屏，這也與此前的傳聞比較吻合。

MWC2016發(fā)布

　　而根據(jù)此前泄露的信息顯示，三星GALAXY S7的內(nèi)部開發(fā)代號為 “Jungfrau”，不僅將會采用Ultra HD 4K顯示屏，而且隨著三星全新1600萬像素CMOS傳感器的推出，或許意味著該機還將在攝像頭方面得到升級，并借助該傳感器非常纖薄的特色，有望改善攝像頭凸起的狀況。

　　同時此前微博上曝光的疑似三星內(nèi)部的Android M 升級計劃還顯示，三星GALAXY S7正在測試驍龍820處理器，并且韓國媒體也披露稱，三星正在GALAXY S7上輪流測試驍龍820處理器和三星自主架構芯片（Exynos M1）兩款處理器，以便最終確定到底采用那個方案。因此，結合驍龍820處理器在明年第一季出貨的傳聞，很大程度上也預示著三星GALAXY S7將會在明年的移動世界大會（MWC）上發(fā)布。（騰訊數(shù)碼 ，原標題《三星GALAXY S7新技術曝光 配5.2寸4K屏》)